高溫馬弗爐的硅碳棒電阻測量的方法有多種，硅碳棒電阻數據是用歐姆定律來換算的，采用時要挑選公道的表層載荷密度和采用氣溫。采用氣溫應不大于1650℃；在有害氣態(tài)環(huán)境中采用更要堤防硅碳棒與有害氣態(tài)發(fā)生化工襯映。掉換硅碳棒時，應選任和爐內運行的硅碳棒的內阻相近乎的硅碳棒，必要時掉換整爐硅碳棒，這樣有利于調動硅碳棒的采用爐齡，卸不來的硅碳棒，如若內阻值得體，還可以在電爐運行中晚期換上采用。堤防硅碳棒濺上熔融金屬，濺上熔融金屬易于致使斷棒。堤防堿、堿土金屬和堿性化合物侵蝕硅碳棒。常常觀查電流表、電壓表及氣溫表的讀數是否正常；冷端部夾具是否松運、化合發(fā)黑或者打火；硅碳棒是否斷裂；硅碳棒發(fā)燒部橘紅熱是否平均。硅碳棒為非金屬電熱元件是用高純度環(huán)保六方碳化硅為重要原料，按必定料比拋光制坯，經2200℃高溫硅化再結晶燒結而制成的棒狀、管狀非金屬高溫電熱元件?；闲苑諊姓２捎脷鉁乜蛇_1450℃，接連采用可達2000小時。采用方式：當硅碳棒穿越爐壁兩側（或者上下）的棒孔后，應自由滾動360°，謹防強制安裝與敲打，裝棒前可用與棒端半徑同樣的鐵管試裝。硅碳棒屬半導體屬性導電，其內阻值隨氣溫的變化而變化。硅碳棒從恒溫至850℃前后內阻氣溫參數為負值（即氣溫升高，內阻變小），大于850℃為正當（即氣溫升高，內阻增大）。 因為硅碳棒在恒溫下內阻值較大，并且與高溫阻值相應的比值擴散度較大，從而在室溫下用萬用表測得的硅碳棒內阻值是不標準的。按照硅碳棒商品尺度的規(guī)定，硅碳棒的內阻值測驗及采用配組均應以高溫（1050±50℃）阻值為準。在棒發(fā)燒部表層氣溫安定在時，按照歐姆定律測繪計量出的高溫阻值標注在棒體的一端。硅碳棒在接連式窯爐與間歇式窯爐中，前者的爐齡較長。硅碳棒在采用中表層化合生成二化合硅薄膜，長時日采用使二化合硅皮膜增長，硅碳棒阻值也隨之增長。